本发明提供一种半导体工艺方法，包括：在半导体外延片的顶面上制作图形化的硬掩膜层；向半导体外延片的上方通入不与半导体外延片和硬掩膜层发生化学反应的第一工艺气体，并电离第一工艺气体形成第一等离子体，以将半导体外延片加热至高于预设温度；向半导体外延片的上方通入刻蚀工艺气体，并电离刻蚀工艺气体形成第二等离子体，以利用第二等离子体对半导体包覆层进行刻蚀。在本发明中，刻蚀工艺开始前通过第一工艺气体电离形成的第一等离子体对晶圆的表面进行加热，使晶圆的温度高于预设温度，从而利用现有的常规下电极等硬件结构即可保证氯化铟等刻蚀副产物的正常挥发，在降低硬件需求的同时保证了膜层刻蚀效果。本发明还提供一种半导体器件。