调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲磊晶结构台面之上，其中包括以下步骤：形成一底电极层于抛光表面之上；形成一压电层于底电极层之上；以及形成一顶电极层于压电层之上；以及蚀刻牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构之下。
基本信息
专利标题 ：
调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114430259A
申请号 ：
CN202210109109.3
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2017-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张家达魏君如翁国隆
申请人 ：
稳懋半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202210109109.3
主分类号 ：
H03H9/17
IPC分类号 ：
H03H9/17 H03H9/56 H03H9/58 H03H9/60 H03H3/02 H03H3/04 H03H9/02 H03H9/13
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/17
申请日 : 20170110
申请日 : 20170110
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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