一种Cu-Sn基金属间化合物焊点及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种Cu‑Sn基金属间化合物焊点及其制备方法，涉及3D封装芯片堆叠互连制造和高功率器件封装制造。选用Cu‑xNi合金为第一金属基体，纯Cu或Cu‑xNi合金为第二金属基体，纯Sn或Sn基钎料作为中间钎料层，构成Cu‑xNi/钎料/Cu或Cu‑xNi/钎料/Cu‑xNi结构组合体，随后将上述组合体在一定温度条件下进行钎焊回流反应，使钎料全部反应完并转化为以(Cu,Ni)6Sn5为主体的金属间化合物焊点，(Cu,Ni)6Sn5晶粒细小，晶粒取向杂乱、随机，且热稳定性良好。本发明具有成本低廉、工艺流程简单、与现有技术设备兼容性好，显著缩短键合时间等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种Cu-Sn基金属间化合物焊点及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597187A
申请号 ：
CN202210108676.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵宁赖彦青
申请人 ：
大连理工大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市高新园区凌工路2号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐华燊
优先权 ：
CN202210108676.7
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60 B23K35/28 B23K1/19 B23K1/012 C22C13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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