多源设计的X射线分析系统和方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种多源设计的X射线分析系统和方法。根据实施例，X射线分析系统可以包括：射线源，包括被配置为产生射线的多个射线发生装置；探测器，被配置为探测分析对象被来自射线源的射线照射而产生的信号；以及控制器，被配置为控制射线源，使射线源中的两个或更多个射线发生装置同时产生相应的射线，以照射分析对象。
基本信息
专利标题 ：
多源设计的X射线分析系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114486971A
申请号 ：
CN202210103584.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张雪娜洪峰王翠焕
申请人 ：
深圳市埃芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号喷油车间6栋101
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202210103584.X
主分类号 ：
G01N23/223
IPC分类号 ：
G01N23/223 G01N23/20 G01N23/201 G01N23/207
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/223
通过用X射线或γ射线辐照样品以及测量X射线荧光
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/223
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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