本发明提供一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，在衬底上形成包含栅氧层及多晶硅层的叠层；刻蚀叠层形成叠层结构；沉积覆盖叠层结构及被暴露出的衬底上的第一侧墙层；刻蚀侧墙层，将叠层结构顶部及衬底上表面暴露，在叠层结构的侧壁形成第一侧墙；在叠层结构的侧壁形成第二侧墙；刻蚀叠层结构，在叠层结构上形成多个狭槽；狭槽底部为多晶硅层；光刻胶回刻，形成覆盖衬底以及填充于狭槽的介质层；平坦化介质层；去除多晶硅层形成凹槽，并露出衬底上表面的栅氧层；在凹槽内填充金属，平坦化金属。本发明通过将多晶硅刻蚀与形成狭槽的工艺进行分离，最大程度减少狭槽形成对栅氧层的影响，极大地减轻了高压器件可靠性降低的风险。