一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法，属于芯片封装领域。针对现有集成芯片尺寸体积过大和性能差的问题，本发明提供一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构，包括硅衬底，硅衬底与PCB板连接，硅衬底的上方堆叠若干层功能层，若干层功能层之间通过Via孔进行堆叠，功能层表面覆盖有钝化层，硅衬底的背面中在与底层功能层中Via孔对应的地方刻蚀形成TSV孔，Via孔与TSV孔内布设导电材料。本发明通过将TSV孔开设在了Via孔上以达到垂直直线导通的目的，实现器件有序堆叠的同时缩短走线，无需额外的位置来做TSV通孔，减小集成芯片尺寸及体积的大小，且缩短走线能够降低功耗并且提高电气性能，结构简单。封装方法步骤简单，易于操作，效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496959A
申请号 ：
CN202210091833.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡孝伟代文亮张竞颢袁琳
申请人 ：
上海芯波电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区纳贤路60弄5号3层01室
代理机构 ：
上海乐泓专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王瑞
优先权 ：
CN202210091833.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768 H01L23/488 H01L21/60 H05K1/18 H05K3/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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