保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法
授权
摘要
本发明公开了一种保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法，包括；根据叶片形状以及与等离子射流的相对位置关系对气膜冷却孔进行分类，包括位于叶片片身位置的第一气膜冷却孔、位于叶片进气边的第二气膜冷却孔和位于叶片排气边的第三气膜冷却孔；采用等离子物理气相沉积方法对叶片进行热障涂层镀覆，镀覆时对第一气膜冷却孔采用堵塞冷气通道或充合理参数的加热气体的方法，并对叶片的进气边一侧和排气边一侧分别设有物理遮挡装置；采用本发明沉积的叶片，气膜冷却孔镀覆涂层后保持通畅，缩孔率在15%以内，方法简单，适合批量工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114107916A
申请号 ：
CN202210088536.8
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
CN114107916B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
郭洪波魏亮亮梁彩云师俊东宋伟
申请人 ：
北京航空航天大学;中国航发沈阳发动机研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄川
优先权 ：
CN202210088536.8
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/32
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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