一种高光效高显指高耐候性多重结构COB光源制备工艺
公开
摘要
本发明属于照明器具及其封装制备技术领域,具体涉及一种高光效高显指高耐候性多重结构COB光源制备工艺。通过工序得到一种多层构型的高耐候性COB光源,下层选用高透光性高耐温性的硅胶,保证光源的可靠性和耐温性,将光源芯片与荧光粉分层封装减少芯片发光所产生的高热对荧光粉粒子的热淬灭反应影响,使荧光粉粒子始终在保持一个较高的发射效率。上部保护层选用高透光性高气密性的硅胶,解决了常规COB光源低折硅胶胶面软透湿透氧率高、不耐硫化的缺点,阻隔湿气进入光源内部,使中部荧光粉层始终可以在一个较为干燥和洁净的环境下工作,解决了氟化物荧光粉或者量子点荧光粉不耐温、不耐湿的应用痛点;使光源发光更为均匀,内部也连接更为紧密。
基本信息
专利标题 :
一种高光效高显指高耐候性多重结构COB光源制备工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114582846A
申请号 :
CN202210088412.X
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2022-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李壮志郭苑苏佳槟
申请人 :
硅能光电半导体(广州)有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区开源大道11号A4栋201室
代理机构 :
广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘新年
优先权 :
CN202210088412.X
主分类号 :
H01L25/075
IPC分类号 :
H01L25/075 H01L33/50 H01L33/62 H01L33/52 H01L33/56 H01L33/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/075
包含在H01L33/00组类型的器件
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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