一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片
公开
摘要
本发明公开了一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层，其中，所述缓冲层包括通过周期性循环交替切换MO源和含氧MO源作为前驱体材料生长的氮化物缓冲层和含氧缓冲层；在缓冲层上生长氮化物外延层。本发明通过含氧MO源工艺生长含氧缓冲层，一方面原位生长含氧缓冲层具有良好的晶格失配弛豫，缓解晶格适配，释放衬底和外延层应力，可获得低位错密度的高质量氮化镓外延层，同时由于采用交替生长，提高含氧缓冲晶粒分布均匀性和成核密度，获得高质量的氮化物外延层；另一方面本发明工艺过程简单，降低衬底及外延层转移过程污染风险，重复性好，利于规模化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574959A
申请号 ：
CN202210088147.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱振德
优先权 ：
CN202210088147.5
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B25/14 C30B29/40 H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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