平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法、装置及...
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摘要
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法，包括：在氧化外延衬底上进行分压环制备，并在源区进行光刻及在外延层注入JFET，得到JFET外延衬底，对JFET外延衬底进行栅氧化后，沉积多晶硅层，在多晶硅层上沉积第一绝缘保护层，得到第一硅栅保护衬底，对第一硅栅保护衬底进行硅栅光刻，并制备Pwell区、P+区及N+源区，得到初始栅极保护衬底，在初始栅极保护衬底上的栅极侧面，沉积第二绝缘保护层，得到目标栅极保护衬底，对目标栅极保护衬底上进行合金层制备，得到overlay偏差效应解决晶体管。本发明还提出一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决overlay偏差效应及源端与栅极短路的问题。
基本信息
专利标题 ：
平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法、装置及介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114114857A
申请号 ：
CN202210082812.X
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
CN114114857B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
曹榕峰陈锰宏章圣武杨洋
申请人 ：
威海银创微电子技术有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市环翠区嵩山路106-3号
代理机构 ：
东营辛丁知联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘焕玲
优先权 ：
CN202210082812.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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