本发明属于NAND Flash存储领域，具体的说是一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法，所述NAND Flash存储磨损平衡管管理方法包括以下步骤：S1：确保FLASH是全新状态，每擦写BLOCK一次时，会在该区域打上一个使用标记；S2：随着时间的推移，FLASH使用的增加BLOCK出现擦写不均，有的区域擦写次数多，FLASH磨损严重，有的区域擦写次数少，FLASH磨损轻微；S3：引入对应的管理机制，该管理机制包括GPIQ、NPU单元、PCLE控制单元和NVME控制单元，所述NPU单元通过DDR PHY与存储单元数据双向连接；实现了在控制器中增加NPU单元，动态维护一个该SSD每个BLOCK的实时写入次数信息，避免传统计数方式带来的延迟和写寿命快速耗尽；从而达到使SSD更加合理、高效的使用。