晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件
公开
摘要
本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，且化学镀时可两片晶圆为一组同时作业，有效提高了化学镀的作业效率，也避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。
基本信息
专利标题 ：
晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628242A
申请号 ：
CN202210064011.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨凌辉黎哲邓方圆吴荣成刘晗
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
代理机构 ：
绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓爱民
优先权 ：
CN202210064011.0
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 C23C18/16 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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