一种空心二氧化硅及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明公开了一种空心二氧化硅及其制备方法和应用。制备方法包括：1)将单质硅粉分散在液相反应体系中，得到硅粉分散液；2)向步骤1)得到的硅粉分散液中缓慢滴加氨水至反应体系的pH为10～10.4，然后进行水热反应。本发明将单质硅粉在水热反应中通过硅原子及羟基的界面扩散、初步氧化及空心化制备空心二氧化硅。本发明利用界面处的柯肯达尔效应制备的空心二氧化硅表面致密、具有低应力、高机械强度以及低吸湿的特点，其作为电子封装材料的填料，能够提高可靠性、降低介电常数和介电损耗；本发明提供的空心二氧化硅，制备方法简单，无需多步反应，成本低廉，具有较高的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种空心二氧化硅及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620737A
申请号 ：
CN202210062604.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王宁罗思程陈田田赵涛朱朋莉孙蓉
申请人 ：
中国科学院深圳先进技术研究院;深圳先进电子材料国际创新研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202210062604.3
主分类号 ：
C01B33/18
IPC分类号 ：
C01B33/18 H01L23/29
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
C01B33/18
既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备；其后处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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