镭射印字路径规划方法和镭射装置
实质审查的生效
摘要

本发明的实施例提供了一种镭射印字路径规划方法和镭射装置,涉及镭射印刻技术领域。该镭射印字路径规划方法包括确定目标图案的镭射起始位置;依据所述起始位置,采用绕线式填充在所述目标图案内形成路径线条;调整所述路径线条的间距;沿调整间距后的所述路径线条进行镭射印刻。采用绕线式填充的方式可以将目标图案填充的更满、镭射效果更好;并且,采用绕线式填充的路径可以大大减少机台运行的空行程,镭射效率更高,节省大量的时间。

基本信息
专利标题 :
镭射印字路径规划方法和镭射装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114434012A
申请号 :
CN202210062102.0
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑多雄杜如霞李典展李湘渝
申请人 :
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
戴尧罡
优先权 :
CN202210062102.0
主分类号 :
B23K26/362
IPC分类号 :
B23K26/362  B23K26/70  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B23
机床;其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊;焊接;用钎焊或焊接方法包覆或镀敷;局部加热切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工,例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
B23K26/362
激光刻蚀
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/362
申请日 : 20220119
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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