一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺，包括以下步骤，步骤一：准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材；步骤二：对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽；步骤三：在化学药水槽中添加混合液，混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜，然后，再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。本发明的沉铜工艺前处理方法具有以下优点：采用快速蚀刻和药水洗，通过化学处理，可自由实现控制钢板表面粗糙度，此法高效简单，工作劳动强度大大减轻。
基本信息
专利标题 ：
一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481108A
申请号 ：
CN202210059202.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏厚韬操守杰
申请人 ：
合肥矽迈微电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区习友路3699号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210059202.8
主分类号 ：
C23C18/54
IPC分类号 ：
C23C18/54 C23F1/28 C23F17/00 C23G1/08 C25D5/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/54
接触镀，即无电流化学镀
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 18/54
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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