一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，利用原子层沉积技术(即ALD工艺)，采用O3或H20分别作为前驱体源，且优先使用O3为前驱源制得了性能优异的叠层氧化铝膜层，与现有技术中的单层氧化铝膜层相比，更大化的降低氧化铝的界面态密度，提升了退火后氧化铝的固定负电荷密度，进而提高了其化学钝化及场钝化的作用，使其能够满足一些高效硅材料太阳能电池的钝化要求，将其应用于太阳能电池结构中后，可以有效的提升电池转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420790A
申请号 ：
CN202210059063.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董思敏欧文凯向亮睿
申请人 ：
普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市高新技术产业开发区珠江东路11号办公大楼1222室
代理机构 ：
苏州创策知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩娟
优先权 ：
CN202210059063.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 H01L31/0216 C23C16/40
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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