一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法，采用简单的平面忆阻器结构，工艺简单，并采用离子插层工艺，将第一离子和第二离子插入到介质层的范德瓦尔斯间隙，通过改变施加在忆阻器单元上的电场大小、方向产生不同的阻变现象，进而与生物突触可塑性变化过程中的多种离子共同作用的现象吻合，实现模拟生物突触中Ca2+和蛋白质离子的迁移行为。
基本信息
专利标题 ：
一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551721A
申请号 ：
CN202210049184.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱小健张峥吴柳孙翠段吉鹏李润伟
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
代理机构 ：
宁波甬致专利代理有限公司
代理人 ：
袁波
优先权 ：
CN202210049184.5
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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