本公开实施例提出了一种日盲光探测器以及成像装置，所述日盲光探测器包括衬底，在所述衬底上从上到下分别设置第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置β‑Ga2O3薄膜，所述第一电极与所述β‑Ga2O3薄膜之间形成第一接触，所述第二电极与所述β‑Ga2O3薄膜之间形成第二接触，所述第一接触和所述第二接触位于所述衬底的垂直方向上。本公开实施例通过使用超薄β‑Ga2O3薄膜使得日盲光探测器同时具备超快响应速度和高响应度，利用透明电极使得其在有效收集光电流的同时具有对紫外光的高透明度，进一步地，针对将两个不同的接触设置为垂直结构适合与硅基读出电路集成从而制成探测阵列，为实现日盲光的高分辨成像提供条件。