一种半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；将晶圆从第一载盘转移至第二载盘；对晶圆的背面进行金属镀膜工艺；将晶圆的背面贴附至切割模框；在晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割晶圆。根据本发明的半导体器件的制备方法，可以在第一载盘中完成晶圆正面元件的制备工艺，随后可以将晶圆转移至第二载盘，对背面晶圆进行金属镀膜工艺。当将晶圆转移至第二载盘时，晶圆正面的聚亚酰胺层可以起到缓冲保护晶圆的作用，在第二载盘的支撑下完成晶圆背面的金属镀膜工艺，随后再将晶圆背面贴附至切割模框，从晶圆的正面进行切割，制备方法合理高效，提高了晶圆的制备效率和加工质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464544A
申请号 ：
CN202210021764.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严立巍符德荣陈政勋
申请人 ：
绍兴同芯成集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢1楼113室
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
华枫
优先权 ：
CN202210021764.3
主分类号 ：
H01L21/58
IPC分类号 ：
H01L21/58 H01L21/67 H01L23/29 B23K26/362
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58
半导体器件在支架上的安装
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/58
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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