半导体器件的制造方法及其制造设备
授权
摘要
一种半导体器件的制造方法及其制造设备，在其制造方法中，由于提供设计为圆形的散热铜片来进行散热，并且，将散热铜片的边缘设置有定位孔组，这样，当在芯片上下两面上分别覆盖散热铜片，并且在散热铜片与所述芯片的上表面和下表面之间均垫有预设焊片，就可以通过定位孔组内插入定位销的方式，快速将芯片限制在散热铜片的内部预设位置，减少人工操作，提高效率，降低生产成本。同时由于散热铜片的表面积大于芯片，除了能够更好的散热的同时还可以保护芯片不被磕碰，满足芯片防护以及可靠性的需求。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法及其制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114023656A
申请号 ：
CN202210007931.9
公开（公告）日 ：
2022-02-08
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
CN114023656B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
李晓锋招景丰
申请人 ：
浙江里阳半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭燕
优先权 ：
CN202210007931.9
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/50 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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