一种高压发光二极管
公开
摘要
本发明提供一种高压发光二极管,其中相邻的子芯片之间的隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽,第一隔离槽的宽度大于第二隔离槽的宽度。隔离槽在第一方向上延伸,第一隔离槽在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的侧壁为第一侧壁,在第一方向上延伸并且与第一侧壁连接的侧壁为第二侧壁,第一侧壁与第二侧壁相连的区域形成为弧形区域。相邻子芯片的桥接结构覆盖该弧形区域,增加了桥接结构的粘附性,使其包覆该弧形区域,由此可以保证桥接结构的稳定性,使其不易出现裂缝或者断裂等缺陷,提高器件的可靠性。上述隔离槽结构尤其在外延层厚度较大、外延层台面侧壁倾斜角较大的情况下,本发明的隔离槽结构尤其能够增强桥接结构的稳定性。
基本信息
专利标题 :
一种高压发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114586184A
申请号 :
CN202180005886.7
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2021-07-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
熊伟平吴志伟高迪郭桓邵彭钰仁
申请人 :
泉州三安半导体科技有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市南安市石井镇院前村
代理机构 :
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
高园园
优先权 :
CN202180005886.7
主分类号 :
H01L33/48
IPC分类号 :
H01L33/48 H01L33/62 H01L21/762
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载