带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具备半导体芯片与设置在其背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，该制造方法中，使用具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的、通过在基材上依次层叠粘着剂层、中间层及膜状粘合剂而构成且中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分的半导体装置制造用片，该制造方法具有：将半导体装置制造用片的膜状粘合剂与半导体芯片的背面贴合，制作半导体装置制造用片与半导体芯片的层叠体的工序；及从层叠体的层叠有半导体芯片的一侧，沿半导体芯片外周对层叠体照射激光，以不切入至粘着剂层的方式切断膜状粘合剂，得到带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。
基本信息
专利标题 ：
带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467171A
申请号 ：
CN202180005704.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-03-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岩屋涉佐藤阳辅
申请人 ：
琳得科株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晶
优先权 ：
CN202180005704.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/78 C09J7/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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