一种半导体设备密封腔
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体设备密封腔，设有上腔室、下腔室、进气接口、自动密封门、维修操作门和排气管；所述下腔室安装在所述上腔室的下方，所述上腔室和下腔室连接位置设有机械密封装置；所述上腔室的顶面均匀分布有进气接口，所述自动密封门和维修操作门设置在上腔室的侧面；所述上腔室的侧面设有压差感应器；所述排气管安装在所述下腔室的底面，所述排气管的末端设有排气阀；所述上腔室的上部设有进气扩散板，所述下腔室的下部设有排气收集板；本实用新型在可以保持良好的密封性，腔内环境与外界环境分离，腔内可以保持高洁净度，填充保护气体后可以避免出现回流、乱流等问题，减少外界气体进入密封腔。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体设备密封腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122932595.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216250655U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
高友浪王本正杨恒张翔
申请人 ：
深圳市轴心自控技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道大富社区桂月路334号硅谷动力汽车电子创业园A15栋101、201及A14栋整栋
代理机构 ：
深圳众邦专利代理有限公司
代理人 ：
王红
优先权 ：
CN202122932595.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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