一种等离子体化学气相沉积镀膜装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种等离子体化学气相沉积镀膜装置,涉及镀膜技术领域,包括真空室,真空室顶部固定连接有射频电源接入口,真空室左侧壁固定连接有原料气体接入口,真空室右侧壁固定连接有真空抽气口,真空室内壁顶部等距固定连接有多个烘烤灯,真空室内部设有基材,所述原料气体接入口右端固定连接有气体均匀分布机构,所述气体均匀分布机构位于真空室内部上方,所述基材由升降机构连接在真空室内部,所述真空室底部设有减震机构,本实用新型可有效提高原料气体的初始均匀度,使得原料气体快速且均匀的分布在基材周围的空间,有利于基材表面所形成的薄膜的质量。

基本信息
专利标题 :
一种等离子体化学气相沉积镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122927339.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-25
授权号 :
CN216303984U
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
吴婷婷
申请人 :
深圳市昊志成科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区横岗街道荷坳社区金源三路4号厂房四楼整层
代理机构 :
深圳市汇信知识产权代理有限公司
代理人 :
张志凯
优先权 :
CN202122927339.4
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/458  C23C16/50  F16F15/067  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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