一种InAlAs雪崩光电探测器结构
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摘要
本实用新型公开了一种InAlAs雪崩光电探测器结构，其包括自下而上依次设置的背电极、p型InP衬底、p型InP缓冲层、吸收层、带宽渐变层、p型电荷控制层、倍增层和腐蚀截止层；腐蚀截止层的上层设置有n型InP中央集电区、n型InP电场保护环、以及InP阻隔层，在n型InP中央集电区、n型InP电场保护环以及InP阻隔层上表面镀有带金属接触窗口的光学减反膜，所述金属接触窗口为环形，位于n型InP中央集电区的上表面；在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极，上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与所述n型InP中央集电区接触；上电极上的光学入射窗口位于n型InP中央集电区上表面的光学减反膜的上方。
基本信息
专利标题 ：
一种InAlAs雪崩光电探测器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122496454.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
CN216488098U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨志茂王斌
申请人 ：
北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市西城区百万庄大街16号1号楼8层1814室
代理机构 ：
天津创智睿诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
王海滨
优先权 ：
CN202122496454.0
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0216
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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