一种高性能SGT MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种高性能SGT MOSFET器件，其技术方案要点是：包括MOSFET器件体，所述MOSFET器件体虚拟分割成Cell区域和Ring区域，所述MOSFET器件体的底部设有N+衬底层，所述N+衬底层的上部设有epi1层，所述epi1层的上部设有epi2层，所述epi2层的顶部注入形成P型杂质B+层，所述P型杂质B+层的顶部设有介质淀积层，所述介质淀积层的顶部设有金属层，所述Cell区域和所述Ring区域分别开设有沟槽，所述沟槽的底部穿透所述epi1层处于所述epi2层的内部；本实用新型尽可能降低衬底反扩，从而获得更好的RSP，以60V器件为例，RSP达到13.8mohm.mm2，相比普通trench工艺RSP性能提升50％，实际流片数据显示RSP性能优于现有同类产品，分离栅特殊的结构又使开关性能提升50％以上。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能SGT MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122384160.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216597598U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
刘锋殷允超费国芬
申请人 ：
捷捷微电（无锡）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
代理机构 ：
无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
顾翰林
优先权 ：
CN202122384160.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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