半导体制造装置用隔离件
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体制造装置用隔离件，具有：圆板状的多个隔离板，其分别配置在由基板支承件的多个支承杆沿垂直方向以多层支承的多个基板彼此之间；和支柱，其将上述多个隔离板在各隔离板的外缘附近相互连接，上述多个隔离板各自在外缘设有用于避开上述多个支承杆的多个缺口。由此，在与基板支承件配合使用时，能够在基板支承件的支承杆所载置的多个基板之间使气体的流动分离，能够提高各个基板上形成的薄膜的厚度的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置用隔离件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122293520.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
CN216288341U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
冈嶋优作
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN202122293520.4
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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