螺旋线性硅漂移探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种螺旋线性硅漂移探测器，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本实用新型能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
基本信息
专利标题 ：
螺旋线性硅漂移探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122153516.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-07
授权号 ：
CN216161750U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李正熊波龙涛
申请人 ：
湖南脉探芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
代理机构 ：
苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王云峰
优先权 ：
CN202122153516.8
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/115 H01L31/18 G01T1/24 G06F30/17
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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