一种太阳电池的膜层结构
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摘要
本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构，属于光伏技术领域。本实用新型提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层，抗反射且满足预设透光率的第二钝化层，以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层，在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层，以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层，其中，N型发射极和P型晶硅衬底相接，从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求，又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性，有效提高电池组件的组件可靠性，应对复杂的应用环境，使用范围更广。
基本信息
专利标题 ：
一种太阳电池的膜层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120502713.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-09
授权号 ：
CN216161746U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
王洪喆刘勇蔡伦闫用用
申请人 ：
一道新能源科技（衢州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市绿色产业集聚区东港片区百灵南路43号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN202120502713.3
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/041
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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