一种用于改善观察窗挥发物沉积的晶体生长炉
授权
摘要
本实用新型公开一种用于改善观察窗挥发物沉积的晶体生长炉，其包括设置在底座上的下热场结构，设置在所述下热场结构上的上热场结构，所述上热场结构包括从内至外同心设置的上保温组件和上密封层，所述上保温组件上设置有内外相通用于观察晶体生长的观察孔，沿所述观察孔向外延伸的方向，所述上密封层向外延伸形成观察窗。本实用新型通过设置向外延伸出的两个观察窗，可以有效的减轻晶体生长过程中的挥发物在观察窗上的附着，有利于晶体生长人员清晰的观测晶体生长状态、实时调整晶体生长工艺、进而优化晶体生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于改善观察窗挥发物沉积的晶体生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120374042.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-02-09
授权号 ：
CN216338068U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
齐红基陈端阳
申请人 ：
杭州富加镓业科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘文求
优先权 ：
CN202120374042.7
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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