碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法，包括：在碳化硅籽晶的固定面形成金刚石膜层；在石墨盖的粘接面上形成有机胶层；将碳化硅籽晶的背面与所述石墨盖的粘接面相对，使金刚石膜层与有机胶层粘接在一起；对粘接有碳化硅籽晶的石墨盖施加第一设定压力并加热至第一设定温度，使有机胶层固化为粘接石墨层，其中，第一设定温度低于金刚石发生石墨相变的温度。实现减少碳化硅单晶生长工艺过程中籽晶背面升华，提高碳化硅晶体的良品率。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318519A
申请号 ：
CN202111674812.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张磊
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111674812.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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