一种基于流场控制的高温蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于流场控制的高温蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对基板的表面进行清洗；步骤S2，喷淋雾化溶液至基板的表面以形成一热能流场，实时检测热能流场的一实时温度；步骤S3，判断热能流场的实时温度是否大于一预设温度：若否，增大雾化溶液的温度并返回步骤S2；若是，转向步骤S4；步骤S4，喷淋蚀刻溶液至基板的表面进行蚀刻。有益效果是本方法实时检测热能流场的实时温度并通过调整雾化溶液的温度使实时温度大于预设温度，使雾化溶液与蚀刻溶液充分接触，以及在蚀刻过程中检测基板的表面温度并实时进行调整，提高蚀刻溶液的蚀刻效果。
基本信息
专利标题 ：
一种基于流场控制的高温蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420552A
申请号 ：
CN202111674419.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖世保陈丁堃邓信甫
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111674419.1
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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