磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法,所述磁场检测方法包括以下步骤:制作样本磁场传感器,其中所述样本磁场传感器中的磁感应器件为霍尔棒结构;标定所述样本磁场传感器的霍尔电阻与各分量磁场强度的标准变化曲线;将磁性单元与所述样本磁场传感器集成得到标准磁场传感器;检测所述标准磁场传感器的实测霍尔电阻,根据所述实测霍尔电阻查询所述标准变化曲线,确定所述磁性单元的各实测分量磁场强度。本申请解决了现有技术对微型磁性单元进行高精度三维磁场探测效果差的技术问题,大大提高了对芯片内的微型磁性单元进行三维磁场探测的准确性和精确度。

基本信息
专利标题 :
磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114371431A
申请号 :
CN202111671062.1
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周良邹泉波冷群文丁凯文赵海轮张贺存李刚
申请人 :
歌尔微电子股份有限公司
申请人地址 :
山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园二期F楼
代理机构 :
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 :
林川靖
优先权 :
CN202111671062.1
主分类号 :
G01R33/07
IPC分类号 :
G01R33/07  G01R33/02  G01R33/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/07
申请日 : 20211231
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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