一种三维离子系综微米级形态调控方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种三维离子系综微米级形态调控方法,通过构建由四组平行极杆组成的四极杆线形离子阱结构,四组极杆中,在一对对角极杆上施加正向射频势,在另外一对对角极杆上施加反向射频势实现离子的径向约束;四组极杆中,在每一组极杆的两端共八个端上,叠加直流电势实现离子的轴向约束。依据三维离子系综的位置、形状及功能等调控要求,通过在射频离子阱极杆上直接施加逻辑复合静电势,实现三维离子系综的多自由度高效精细调控。该方法在不改变离子阱结构的前提下,通过开发新型真空腔外离子调控电磁场系统,实现了三维离子系综多自由度平动、转动及形状的精细调控。

基本信息
专利标题 :
一种三维离子系综微米级形态调控方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496714A
申请号 :
CN202111669594.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杜丽军蒙艳松贺玉玲韩虹张立新谢军
申请人 :
西安空间无线电技术研究所
申请人地址 :
陕西省西安市长安区航天基地东长安街504号
代理机构 :
中国航天科技专利中心
代理人 :
杨春颖
优先权 :
CN202111669594.1
主分类号 :
H01J49/06
IPC分类号 :
H01J49/06  H01J49/42  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/02
零部件
H01J49/06
电子光学或离子光学装置
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 49/06
申请日 : 20211231
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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