沟槽型功率器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了沟槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半导体衬底上形成漂移区；在所述漂移区中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中形成栅叠层；采用第一离子注入，在所述漂移区中形成P型的阱区和掺杂区；以及采用第二离子注入，在所述阱区中形成N型的源区，其中，所述第一离子注入形成掺杂剂浓度随着深度逐渐减小的阱区，所述第二离子注入将所述阱区的上部反型以形成所述源区。该制造方法在公共的离子注入步骤中以自对准方式形成P型的阱区和掺杂区，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减少离子注入的工艺步骤和掩模数量，从而降低功率器件的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429906A
申请号 ：
CN202111648832.0
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨啸陈辉王加坤
申请人 ：
杭州芯迈半导体技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202111648832.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265 H01L21/266 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
