低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区；漂移区内分布有超级结结构，超级结结构包含柱状结构；阱区上部形成有发射极，外延层和阱区内分布有栅极，每一发射极环绕相应的一个栅极的上部电性隔离设置，每一栅极的下部进入外延层；集电区下端与集电极电性结合；集电区、阱区、柱状结构均是第一导电类型的，漂移区、外延层、发射极均是第二导电类型的；柱状结构下端还与第二导电类型的高掺杂区电接触，高掺杂区分布在漂移区内且与集电区无接触。本发明提供的超级结IGBT降低了关断电流拖尾，进而降低了关断能量损耗。
基本信息
专利标题 ：
低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335143A
申请号 ：
CN202111638577.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁金伟
申请人 ：
深圳市千屹芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区612
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111638577.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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