一种In2O3
公开
摘要
本发明公开了一种In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法及使用其复合材料制备气敏元件的方法，In2O3‑CNH纳米复合材料的制备方法包括1：制备In(OH)3粉末；2:基于粉末制备In2O3纳米立方体；3:收集带正电荷的In2O3；4:获得In2O3‑CNH纳米复合材料，气敏元件的制备方法为基于复合材料与乙醇混合后，涂抹在电极上，红外干燥两小时，冷却后焊接到电路板底座上，并老化5天，本发明构建的In2O3‑CNH气体传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、选择性好、检测限低的特性，能对H2S进行准确、快速的检测；其突出的特点是工作温度低，可以在70℃下工作，可以极大地降低器件能耗。
基本信息
专利标题 ：
一种In2O3-CNH纳米复合材料及其制备的气敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114291838A
申请号 ：
CN202111636104.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱志刚周明韩雨彤王子峰
申请人 ：
上海理工大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区军工路516号
代理机构 ：
上海邦德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
崔双双
优先权 ：
CN202111636104.8
主分类号 ：
C01G15/00
IPC分类号 ：
C01G15/00 C01B32/18 G01N27/12 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G15/00
镓、铟或铊的化合物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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