一种Mini LED外延结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供了一种Mini LED外延结构及其制造方法，在衬底层上生长氮化物缓冲层后，在氮化物缓冲层上溅射第一溅射层；在第一溅射层上生长N型氮化镓层；在N型氮化镓层上溅射第二溅射层；在第二溅射层上生长应力缓冲层；在应力缓冲层上溅射第三溅射层；在第三溅射层上生长量子阱层；最终得到依次层叠的衬底层、氮化物缓冲层、第一溅射层、N型氮化镓层、第二溅射层、应力缓冲层、第三溅射层及量子阱层；本发明通过在存在较明显的晶格失配的层级之间设置溅射层抵消应力的影响，通过设置多层溅射层实现对应力的层层抵消，避免了最终累积对量子阱层产生影响，确保了成品Mini LED芯片的品质。
基本信息
专利标题 ：
一种Mini LED外延结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300592A
申请号 ：
CN202111622943.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘恒山吴永胜解向荣马野江辉煌
申请人 ：
福建兆元光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐燕玲
优先权 ：
CN202111622943.4
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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