一种Fc-MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种Fc‑MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法，首先利用超组装方法在AAO表面构建了一种超薄、有序的介孔氧化硅层作为离子选择性门控层，再采用两步修饰策略，利用3‑氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对介孔氧化硅层进行氨基化修饰，通过氨基与醛基共价反应，将二茂铁修饰在介孔氧化硅层上，最终获得离子传递通道有序、通道密度高的异质结纳米通道Fc‑MS/AAO，其表面丰富的二茂铁基，为后续智能纳流控纳米通道器件在传感和门控等领域应用提供了丰富的官能团。
基本信息
专利标题 ：
一种Fc-MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324476A
申请号 ：
CN202111618372.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔彪曾晖周姗曾洁
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾艳哲
优先权 ：
CN202111618372.7
主分类号 ：
G01N27/00
IPC分类号 ：
G01N27/00 G01N27/416
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/00
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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