一种优化电流分布的碳化硅结势垒肖特基二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种优化电流分布的碳化硅结势垒肖特基二极管，包括欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑外延层、肖特基接触电极和多个离子注入区单元，多个离子注入区单元在碳化硅N‑外延层的内部上层周期性排布；所述碳化硅N‑型外延层上部为电流扩散区，所述电流扩散区的电流通过所述离子注入区的排布被优化分布，具体原理为使电流在扩散区有更多的方向扩散，从而使电流的分布更加均匀，从而使电流导通引起的热功率的分布也更加均匀，降低了器件正向导通的温度，提高了器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种优化电流分布的碳化硅结势垒肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284344A
申请号 ：
CN202111594029.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张有润吴登昊罗茂久孟繁新陆超张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202111594029.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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