一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。
基本信息
专利标题 ：
一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267958A
申请号 ：
CN202111588973.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞钰峰张聪会刘琦罗国清
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱亚冠
优先权 ：
CN202111588973.8
主分类号 ：
H01Q17/00
IPC分类号 ：
H01Q17/00
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 17/00
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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