本发明提供了一种具有量子点层的外延结构及其制作方法和发光二极管芯片，以量子点有源层作为有源区，由于量子点层本身存在三维方向上对载流子的限制作用，从而能够提高发光二极管芯片的发光效率，即使在小电流下也能够实现较高的亮度。以及，本发明以量子点有源层作为有源区，无需为了获得较短的发光波长而提高Al组分，保证了发光二极管芯片的内量子效率较高。并且，本发明通过将非掺杂层的In组分制作为大于N型阻挡层的In组分，使非掺杂层与基底材料存在较大的正失配，为量子点层的生长提供了较好的条件，进而提高了发光二极管芯片的制作质量。