一种新型高维持电压SCR结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底，所述P型衬底顶部设有一组P型阱区和一组第一N型阱区，所述P型阱区远离第一N型阱区一侧设有第二N型阱区；所述P型阱区一侧设有第一P+重掺杂区域，所述P型阱区另一侧设有第二P+重掺杂区域；本发明根据现有需求进行设计，在P型阱区添加了第三P+重掺杂区，并在与P型阱相邻处添加了第二N型阱区，扩展了第二P+重掺杂区域，在不增加工艺复杂度和失效电流基本不变的情况下，提高SCR器件的维持电压，避免闩锁效应的威胁。
基本信息
专利标题 ：
一种新型高维持电压SCR结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334952A
申请号 ：
CN202111561780.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王耀范晓梅刘俊杰
申请人 ：
郑州大学
申请人地址 ：
河南省郑州市高新区科学大道100号
代理机构 ：
郑州慧广知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
黄永真
优先权 ：
CN202111561780.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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