本发明提供一种深沟槽顶部圆角形成的工艺方法，该方法在同一工艺腔室内对晶圆进行原位刻蚀工艺，包括以下步骤：沟槽刻蚀步骤，以形成有图案化的光阻层为掩膜，对晶圆进行刻蚀，在晶圆上形成沟槽；副产物去除步骤，刻蚀去除晶圆的沟槽侧壁和光阻层的图案开口侧壁上的副产物；光阻层修饰步骤，对光阻层的图案开口侧壁进行横向刻蚀，以暴露出晶圆的沟槽顶部边角；圆角刻蚀步骤，对晶圆的沟槽顶部边角进行刻蚀，以形成圆角。本发明提供的深沟槽顶部圆角形成的工艺方法，不仅可以保证后续硅栅氧化层的生长质量以及多晶硅栅极的质量，而且可以简化工艺流程，降低制作成本，从而可以有效提升生产效率。