气体分流组件和具有其的晶体生长装置
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置,晶体生长装置还包括炉体,炉体形成有保护气进口,气体分流组件适于设于炉体内且位于保护气进口的下游侧,气体分流组件包括多个分流件,多个分流件沿气流流向间隔排布,每个分流件包括多个支撑框和多个散风筋组,支撑框为环形,多个支撑框沿炉体的径向依次套设设置,每组散风筋组包括沿炉体的周向间隔设置的散风筋,相邻两个支撑框之间通过一组散风筋组相连,每个散风筋的两端分别与相应的两个支撑框相连。根据本发明的气体分流组件,可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定,以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定,提升晶体品质。

基本信息
专利标题 :
气体分流组件和具有其的晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114411249A
申请号 :
CN202111547069.2
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李向阳陈俊宏
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵静
优先权 :
CN202111547069.2
主分类号 :
C30B27/00
IPC分类号 :
C30B27/00  C30B27/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 27/00
申请日 : 20211216
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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