基于拓扑磁结构的逻辑门
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于拓扑磁结构的逻辑门。该逻辑门包括纳米双层赛道,纳米双层赛道包括第一赛道及第二赛道,第一赛道与第二赛道交叉连接形成交汇区域;其中,第一赛道包括第一输入端及第一输出端;第二赛道包括第二输入端;第一赛道及第二赛道用于为拓扑磁结构的移动提供路径。该逻辑门,通过拓扑磁结构在第一输入端、第二输入端与第一输出端之间的移动,实现非门的逻辑功能。由于拓扑磁结构可以稳定存在于纳米双层赛道中,因此该逻辑门体积较小;由于拓扑磁结构具有一定的拓扑势垒,稳定性好,因此该逻辑门稳定性较高;同时,拓扑磁结构具有功耗低及非易失等优点,在掉电时仍然能够保留逻辑值,无待机功耗,因此该逻辑门功耗较低。
基本信息
专利标题 :
基于拓扑磁结构的逻辑门
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114337647A
申请号 :
CN202111544824.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
麦启宇张溪超夏静周艳
申请人 :
香港中文大学(深圳)
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
史治法
优先权 :
CN202111544824.1
主分类号 :
H03K19/20
IPC分类号 :
H03K19/20 H01L43/08 B82Y10/00
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/20
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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