半导体封装结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供的半导体封装结构，在重布线层(Redistribution Layer，RDL)与基板(Substrate)之间的线路设计中，将信号线路维持保留于基板，而将电源/接地线路设计于重布线层。相较于传统扇出型基板(FOSub)结构中将部分信号线路设计于线宽比基板更小的重布线层，本公开将信号线路维持保留于线宽比重布线层更大的基板以保持高速信号布局，不会有信号传输损耗，因此可以保持信号传输的完整性。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267660A
申请号 ：
CN202111534939.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑宏祥
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202111534939.2
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/528 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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