本发明公开一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺，包括0.5％‑1％的表面活性剂、2‑3％的脱泡剂、0.5‑1.5％无机盐和去离子水，将表面活性剂、脱泡剂、无机盐和去离子水混合配制成添加剂，在抛光槽中加入去离子水，将碱加入溶解，升温，取上述配制成的添加剂加入抛光槽即得单晶硅碱抛光液，将硅片放入抛光槽中进行反应抛光，相对于传统的单晶硅碱抛光添加剂，明显改善了碱抛光产生的外观“小雨点”问题，并且保持与之前单晶硅碱抛光添加剂对于单晶硅片相同的腐蚀量以及对于单晶硅片背面相同的抛光效果。