一种发光二极管芯片、发光装置
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摘要
本发明涉及半导体技术领域。本发明涉及一种发光二极管芯片包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的发光层；第一接触电极和第二接触电极，位于所述半导体外延叠层的第一表面之上，分别与所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层电连接；所述第一接触电极包括第一接触电极的欧姆接触层以及位于所述第一接触电极的欧姆接触层之上的第一电极阻挡层；所述第二接触电极包括第二接触电极的欧姆接触层以及位于所述第二接触电极的欧姆接触层之上的第二电极阻挡层。本发明提供的发光二极管芯片具有高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管芯片、发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113851567A
申请号 ：
CN202111416529.8
公开（公告）日 ：
2021-12-28
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN113851567B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
熊伟平王鑫吴志伟高迪彭钰仁郭桓邵
申请人 ：
泉州三安半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇院前村
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
包爱萍
优先权 ：
CN202111416529.8
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/38
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2022-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2021-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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