碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方...
实质审查的生效
摘要
本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置(101)具有：碳化硅基板(11)；半导体层(12)，其形成于碳化硅基板(11)之上；栅极电极(18)，其隔着栅极绝缘膜(26)与半导体层(12)相对；层间绝缘膜(19)，其将栅极电极(18)覆盖；阻挡金属，其形成于层间绝缘膜(19)之上；以及上表面电极，其将阻挡金属覆盖，阻挡金属是由阻挡金属(21)和阻挡金属(22)构成的两层构造，层间绝缘膜(19)侧的阻挡金属(21)由与阻挡金属(22)相同的金属构成，与阻挡金属(22)相比厚度小。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496935A
申请号 ：
CN202111305821.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野口智明中西洋介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111305821.2
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L29/78 H01L21/336 H02M1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20211105
申请日 : 20211105
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
